第四章 优化MOSFET模型（3/6）

　　创业成功后再华国。
　　现在这個身份在华国创业，难度太高。
　　说搞半导的难度太高。
　　稍作准备后，周便给胡的电子邮地址发了一封关于MOSFET模型进一步优化的论过。
　　胡从1976年开始就在伯克教，一邮箱就没有变过。
　　从实际MOSFET晶出发，在复杂领域推演出数学模型，这是胡的得之作。
　　这篇发1985年的论，引用数近2000，是他仅于FinFETch架构的成。
　　在这个年该数学模型国际上38家大司参与的晶模型会选为设计芯片的一个且唯一的国际标准。
　　从1985年发该论以来，一有种研究试图改进该模型。
　　94年的时候有试图过薄氮化氧化来优化该模型的，95年有过电子的热再发射来优化。
　　是这研究是过质层面，过改变晶材，来实现优化MOSFET晶的目的。